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富士電機パワーセミコンダクタの本選考対策・選考フロー

富士電機パワーセミコンダクタ株式会社の本選考のフローや志望動機、グループディスカッションの内容や内定者のアドバイス、入社を決めた理由の一部を公開しています。ぜひ、詳細ページにて全文を確認し、選考対策に役立ててください。

富士電機パワーセミコンダクタの 本選考

富士電機パワーセミコンダクタの 志望動機

富士電機パワーセミコンダクタの エントリーシート

18卒 本選考ES

総合職
18卒 | 東京理科大学大学院 | 男性
Q. 志望職種を選択した理由
A.
大学の研究で不揮発性メモリーへの応用が期待されている物質の基礎研究を行っていましたが入社後は実用化に近い開発職に就きたいと考えています。 半導体の線幅の微細化は限界が近づいており、新たな素材・技術の開発が急務です。大学の研究で学んだ真空技術や光電子分光の知識を活かし、結晶の解析を行い次世代型パワー半導体の開発を行い、ものづくりを通じて環境問題を解決したいと思います。 続きを読む
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公開日:2017年10月13日

富士電機パワーセミコンダクタの 会社情報

基本データ
会社名 富士電機パワーセミコンダクタ株式会社
フリガナ フジデンキパワーセミコンダクタ
設立日 2010年4月
資本金 3億円
従業員数 674人
売上高 346億2300万円
決算月 3月
代表者 高嶋幹夫
本社所在地 〒390-0821 長野県松本市筑摩4丁目18番1号
電話番号 0263-27-7425
URL https://www.fujielectric.co.jp/fps/
NOKIZAL ID: 1675405

富士電機パワーセミコンダクタの 選考対策

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