サムコの本選考対策・選考フロー

私の研究は，窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム系の高周波デバイスの絶縁膜に関する研究です．この研究は企業の共同研究になるため，詳細はお伝え出来ませんが，企業からいただいた基板に私がプロセスをかけて，出来上がったデバイスの評価を行っています．また，絶縁膜の堆積手法としては，原子層堆積法装置を利用しています．貴社でも原子層堆積法装置の製造・販売を行っているので，くどい説明になってしまった場合恐縮ですが，この原子層堆積法は優れた膜密度，段差被覆性，および膜厚コントロール性などの利点がありますが，化学反応を利用した堆積法であるため，原料ガス由来の不純物が残ってしまう課題があります．そこで，私の研究ではこの残留不純物を以下に減らすかということについて取り組んでいます． 続きを読む

ガリウムと窒素の化合物で，半導体材料として前から注目されていて，近年着々と実用化が進んでいる材料です．現在主流のであるシリコンのバンドギャップ，1.12eVと比較して，GaNのバンドギャップが3.4eV程度と大きいため，高温環境でも安定した動作が可能です．バンドギャップは半導体や絶縁体の議論をする上で，基本となる理論の一つで，電子が存在出来ない電子のエネルギーの幅の広さを示してします．半導体，および絶縁体のこの性質のお陰で全ての電子製品は成り立っています．材料中には，材料中の電子がさまざまなエネルギーを持つことができます．エネルギーは低いところから安定で，電子が詰まった層を価電子帯と呼びます．また，電子が存在できるけど，空になっている帯域を導電帯といいます．バンドギャップとはこの価電子帯と導電帯の差ということもできます．このバンドギャップが狭いと，高温環境下で熱励起によって，価電子帯の電子が常に導電帯に遷移することになるので，バンドギャップが高い化合物半導体はシリコン半導体よりも優れているということが説明できます． 続きを読む