サムコの本選考面接・最終面接の質問と回答一覧（全2件）

【学生の人数】1人【面接官の人数】2人【面接官の肩書】人事１名，技術１名【面接の雰囲気】狭い面談室での面接だった．面接官との距離が近く，最初に面接官の方から自己紹介があって朗らかな感じで面接が行われた．【研究内容について教えてください】私の研究は，窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム系の高周波デバイスの絶縁膜に関する研究です．この研究は企業の共同研究になるため，詳細はお伝え出来ませんが，企業からいただいた基板に私がプロセスをかけて，出来上がったデバイスの評価を行っています．また，絶縁膜の堆積手法としては，原子層堆積法装置を利用しています．貴社でも原子層堆積法装置の製造・販売を行っているので，くどい説明になってしまった場合恐縮ですが，この原子層堆積法は優れた膜密度，段差被覆性，および膜厚コントロール性などの利点がありますが，化学反応を利用した堆積法であるため，原料ガス由来の不純物が残ってしまう課題があります．そこで，私の研究ではこの残留不純物を以下に減らすかということについて取り組んでいます．【絶縁膜堆積の際，気を付けていることはなんですか？】私が思う，絶縁膜堆積の際に重要だと思っていることは２個ほどあって，そのうちの最も大事な要素が半導体と絶縁膜の界面の状態です．この界面状態はデバイスにチャネルといった電子の通り道のようなものを形成した時に，電荷のトラップが起こり，動作の不安定性および低性能化を招くからです．これに対しては，オゾン洗浄などの表面処理を行うことで，界面の状態を良好にします．また，原子層堆積法などの化学堆積法では，原料ガス由来の不純物が残ることがあるので，これをいかに減らしていくかも大切だと考えています．以上の２点は私の研究と直結しており，原料ガス由来の炭素不純物を減らすために，現在はO３を酸化剤として使っていたものを，より酸化力の高いOH基を酸化剤に用いて絶縁膜の堆積を行いたいと思います．【評価されたと感じたポイントや注意したこと】緊張することなく試験に臨めた．技術系の方と研究内容について質問を受けているときに，勉強を頑張っているねと言われ，印象はよかったと思う．

【学生の人数】1人【面接官の人数】6人【面接官の肩書】社長，取締役，役員，人事【面接の雰囲気】面接官との距離が遠く威圧感を感じたが，面接開始後，社長の方が冗談で場を和ませてくれた．そのあとはありのままの自分を出すことができた．【GaNってなに，バンドギャップとは，化合物半導体との違いは？】ガリウムと窒素の化合物で，半導体材料として前から注目されていて，近年着々と実用化が進んでいる材料です．現在主流のであるシリコンのバンドギャップ，1.12eVと比較して，GaNのバンドギャップが3.4eV程度と大きいため，高温環境でも安定した動作が可能です．バンドギャップは半導体や絶縁体の議論をする上で，基本となる理論の一つで，電子が存在出来ない電子のエネルギーの幅の広さを示してします．半導体，および絶縁体のこの性質のお陰で全ての電子製品は成り立っています．材料中には，材料中の電子がさまざまなエネルギーを持つことができます．エネルギーは低いところから安定で，電子が詰まった層を価電子帯と呼びます．また，電子が存在できるけど，空になっている帯域を導電帯といいます．バンドギャップとはこの価電子帯と導電帯の差ということもできます．このバンドギャップが狭いと，高温環境下で熱励起によって，価電子帯の電子が常に導電帯に遷移することになるので，バンドギャップが高い化合物半導体はシリコン半導体よりも優れているということが説明できます．【うちの装置は使ったことはありますか，また工場見学の感想は？】はい，私の研究室は半導体プロセスに関わる研究室なので，UV/O3クリーナー，プラズマCVD，ICPプラズマエッチング装置にお世話なっています．特に便利だと感じているものがプラズマエッチング装置です．エッチングには薬液にサンプルをつけてエッチングを行うウェット方式と，ガスを用いてエッチングを行うドライ方式がありますが，繊細なパターンをエッチングする場合はドライエッチングが適してします．貴社のプラズマエッチング装置を利用すことで，デバイスの構造に対する不安が払拭出来ていると感じます．また，工場見学の感想ですが，見学した時に社員の方々が迷うことなく，力を合わせて次々に装置を組み立てていく風景を目の当たりにして，御社は社員のみんなのまとまりのあるいい企業だと感じました．【評価されたと感じたポイントや注意したこと】面接の序盤で，社長の方がを言って和ませてくれたが「正直な話，勉強は好きかな」と質問があり，はいと答えた後「不真面目な学生はうちに向いてない」と言われたり，和やかな雰囲気の中で，核心に迫ることを聞いてくるので気を付けた方がいい．