1次面接
【学生の人数】1人【面接官の人数】2人【面接官の肩書】人事1名,技術1名【面接の雰囲気】狭い面談室での面接だった.面接官との距離が近く,最初に面接官の方から自己紹介があって朗らかな感じで面接が行われた.【研究内容について教えてください】私の研究は,窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム系の高周波デバイスの絶縁膜に関する研究です.この研究は企業の共同研究になるため,詳細はお伝え出来ませんが,企業からいただいた基板に私がプロセスをかけて,出来上がったデバイスの評価を行っています.また,絶縁膜の堆積手法としては,原子層堆積法装置を利用しています.貴社でも原子層堆積法装置の製造・販売を行っているので,くどい説明になってしまった場合恐縮ですが,この原子層堆積法は優れた膜密度,段差被覆性,および膜厚コントロール性などの利点がありますが,化学反応を利用した堆積法であるため,原料ガス由来の不純物が残ってしまう課題があります.そこで,私の研究ではこの残留不純物を以下に減らすかということについて取り組んでいます.【絶縁膜堆積の際,気を付けていることはなんですか?】私が思う,絶縁膜堆積の際に重要だと思っていることは2個ほどあって,そのうちの最も大事な要素が半導体と絶縁膜の界面の状態です.この界面状態はデバイスにチャネルといった電子の通り道のようなものを形成した時に,電荷のトラップが起こり,動作の不安定性および低性能化を招くからです.これに対しては,オゾン洗浄などの表面処理を行うことで,界面の状態を良好にします.また,原子層堆積法などの化学堆積法では,原料ガス由来の不純物が残ることがあるので,これをいかに減らしていくかも大切だと考えています.以上の2点は私の研究と直結しており,原料ガス由来の炭素不純物を減らすために,現在はO3を酸化剤として使っていたものを,より酸化力の高いOH基を酸化剤に用いて絶縁膜の堆積を行いたいと思います.【評価されたと感じたポイントや注意したこと】緊張することなく試験に臨めた.技術系の方と研究内容について質問を受けているときに,勉強を頑張っているねと言われ,印象はよかったと思う.
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