2020卒の奈良先端科学技術大学院大学大学院の先輩がサムコ技術職の本選考で受けた1次面接の詳細です。1次面接で聞かれた質問と実際の回答や、実施時期、面接時間、面接の雰囲気、評価されたと感じたポイントなどを公開しています。ぜひ、先輩の回答を選考対策に役立ててください。
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2020卒サムコ株式会社のレポート
公開日:2019年6月24日
選考概要
- 年度
-
- 2020年度
- 結果
-
- 内定辞退
- 職種
-
- 技術職
投稿者
選考フロー
1次面接 通過
- 実施時期
- 2019年04月
- 形式
- 学生1 面接官2
- 面接時間
- 20分
- 面接官の肩書
- 人事1名,技術1名
- 通知方法
- メール
- 通知期間
- 3日以内
評価されたと感じたポイントや、注意したこと
緊張することなく試験に臨めた.技術系の方と研究内容について質問を受けているときに,勉強を頑張っているねと言われ,印象はよかったと思う.
面接の雰囲気
狭い面談室での面接だった.面接官との距離が近く,最初に面接官の方から自己紹介があって朗らかな感じで面接が行われた.
1次面接で聞かれた質問と回答
研究内容について教えてください
私の研究は,窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム系の高周波デバイスの絶縁膜に関する研究です.この研究は企業の共同研究になるため,詳細はお伝え出来ませんが,企業からいただいた基板に私がプロセスをかけて,出来上がったデバイスの評価を行っています.また,絶縁膜の堆積手法としては,原子層堆積法装置を利用しています.貴社でも原子層堆積法装置の製造・販売を行っているので,くどい説明になってしまった場合恐縮ですが,この原子層堆積法は優れた膜密度,段差被覆性,および膜厚コントロール性などの利点がありますが,化学反応を利用した堆積法であるため,原料ガス由来の不純物が残ってしまう課題があります.そこで,私の研究ではこの残留不純物を以下に減らすかということについて取り組んでいます.
絶縁膜堆積の際,気を付けていることはなんですか?
私が思う,絶縁膜堆積の際に重要だと思っていることは2個ほどあって,そのうちの最も大事な要素が半導体と絶縁膜の界面の状態です.この界面状態はデバイスにチャネルといった電子の通り道のようなものを形成した時に,電荷のトラップが起こり,動作の不安定性および低性能化を招くからです.これに対しては,オゾン洗浄などの表面処理を行うことで,界面の状態を良好にします.また,原子層堆積法などの化学堆積法では,原料ガス由来の不純物が残ることがあるので,これをいかに減らしていくかも大切だと考えています.以上の2点は私の研究と直結しており,原料ガス由来の炭素不純物を減らすために,現在はO3を酸化剤として使っていたものを,より酸化力の高いOH基を酸化剤に用いて絶縁膜の堆積を行いたいと思います.
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サムコの 会社情報
会社名 | サムコ株式会社 |
---|---|
フリガナ | サムコ |
設立日 | 1979年9月 |
資本金 | 16億6300万円 |
従業員数 | 185人 |
売上高 | 82億300万円 |
決算月 | 7月 |
代表者 | 川邊史 |
本社所在地 | 〒612-8443 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地 |
平均年齢 | 40.9歳 |
平均給与 | 648万円 |
電話番号 | 075-621-7841 |
URL | https://www.samco.co.jp/ |
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