21卒 本選考ES
デバイスエンジニア（大船）
21卒 | 東京農工大学 | 男性
- Q. アピールしたい研究（テーマ・概要）
-
A.
テーマ: 深紫外線LEDの半導体材料として注目される「窒化アルミニウム」の高純度な単結晶の高速成長に関する技術開発 概要： 【研究背景】深紫外LEDの高効率な殺菌効果化が注目されています。そのため、深紫外線LED用途の高品質なAlN単結晶基板開発の必要が生じています。従来の昇華法や気相成長法により、AlNの結晶成長は可能ですが、作製された結晶の品質に問題があります。 【研究結果が社会にもたらすこと】従来の低圧水銀ランプは、有害な水銀を含むことに加え、寿命が短いといった欠点を有しています。つまり、高効率・長寿命な深紫外LEDが実現すれば低圧水銀ランプの代替が進む可能性があります。 【簡単な研究概要】AlN単結晶基板の気相成長法による作製と、熱力学解析による結晶成長の反応解析、成長した結晶の品質・特性評価を行っています。 【実験方法】ハイドライド気相成長法、すなわち、原料ガスを加熱した種基板上に吹き付け、基板表面での化学反応により結晶成長させる手法を用いて、AlN基板の作製を行います。 【まとめ】今後本格的に研究に励み、貴社で研究開発を行う基礎を養いたいです。 続きを読む
- Q. 上記以外でアピールしたい経験（これまで発表した論文・学会発表、受賞など）
-
A.
卒業時に成績優秀者に贈られる賞を受賞できるように、今後の研究に励みたいと考えております。現在は、研究内容に関する論文や教科書を学ぶことで本格的な研究開始に備えています。 続きを読む
- Q. 学業以外の成果（スポーツ、ボランティア等）
-
A.
・陸上競技部で6年間中長距離走に励みました。中学三年次に区の駅伝大会で区間賞を獲得しました。 ・塾講師のアルバイトを行いました。属人的であった授業の質を再現性のある状態に変えるように努めました。 続きを読む
- Q. 健康状態、既往症
-
A.
問題ありません。 続きを読む
- Q. 志望動機
-
A.
私たちの生活を支えるフラッシュメモリ製品の研究開発に魅力を感じ、大学での研究内容を活かして、次世代向けセルデバイス開発に携わりたいと考えたためです。貴社は世界で評価される高い技術力を有しており、常に新しいことに挑戦されている姿勢を魅力に感じ志望に至りました。会社説明会や職種説明会では、情報化社会の発展を支える製品作りへのこだわりを感じました。技術者として半導体の技術革新に挑戦したいと考えています。 続きを読む
- Q. 質問したいこと
-
A.
・若手社員に期待すること ・入社後に伸びる社員の特徴 ・デバイスエンジニアとして働くことで身に付くスキル 続きを読む
