18卒 本選考ES
エンジニア
18卒 | 京都大学大学院 | 男性
- Q. アピールしたい研究 (テーマ・概要）
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A.
「レアメタルフリー化合物半導体ZnSnP2を⽤いた新規太陽電池の開発」 安価で安全な元素から構成されるZnSnP2は⾼い光吸収係数を持ち、バンドギャップが1.6eVであることから太陽電池 材料として期待されていますが、これまでにデバイス応⽤が報告されていませんでした。 そこで本研究では、(1)半導体物性評価および制御技術の確⽴ (2)太陽電池デバイス化技術の確⽴ (3)薄膜作製法の開 発の3つに着⽬しました。このように基礎物性評価からデバイス応⽤に⾄るまで多⾓的にアプローチすることで⾼効率 ZnSnP2太陽電池の実現を⽬的としました。 これまで得られた結果としては、(1)ZnSnP2が太陽電池材料として優れた光学・電気的特性を持つことを確認し、 Zn,Sn原⼦の規則-不規則配置を利⽤したバンドギャップ制御⽅法を⾒出しました。(2)太陽電池セルを作製することで 世界で初めて変換効率3%を記録することができました。(3)Zn-Sn薄膜をリン蒸気と反応させることで⽐較的簡便なプ ロセスによりZnSnP2薄膜を作製する⼿法の開発にも成功しています。 続きを読む
- Q. 上記以外でアピールできる これまで発表した論⽂・学会発表、受賞など
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A.
・投稿論⽂：ZnSnP2の太陽電池応⽤研究に関連して、査読のある学術雑誌へ5報論⽂を発表した実績があります。 ・学会発表：国際学会の⼝頭発表4件、ポスター4件、国内学会の⼝頭発表6件、ポスター3件と発表経験は豊富です。 ・受賞：フロンティア太陽電池セミナー 優秀ポスター賞、⽇韓化合物太陽電池ワークショップ 優秀ポスター賞 ・フェローシップ：⽇本学術振興会 特別研究員DC2 (採⽤期間 2016年4⽉-2018年3⽉) ・外部資⾦：京都⼤学教育振興財団 海外発表渡航助成 200,000円 続きを読む
- Q. SanDiskを志望する理由（具体的に）
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A.
私は半導体ストレージの研究開発を⾏うことで、⼈々の暮らしを電⼦デバイスの⾯から豊かにしたいと考えています。 膨⼤な情報量が⾶び交う現代では、情報処理速度に加えてストレージが担う重要性が増していることは⾃明であり、メモリの⾼集積化が求められています。2D-NANDフラッシュメモリの微細化が限界が近づく中、貴社は3D-NANDという⾰新的な技術を積極的に研究開発しており、成⻑性を感じています。上記の理由から、貴社を志望した次第です。 続きを読む
- Q. SanDiskで何をしたいか（具体的に）
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A.
貴社に⼊社できた場合は、3D-NANDフラッシュメモリの更なる⾼集積化に関する開発業務に携わりたいと考えています。⼤学院で学習・経験したことを活かすことができ、かつ興味があると感じるのは、プロセスエンジニアです。特定のプロセスの研究を⾏いたい等のこだわりはありません。⾃ら研究開発を⾏った製品を世の中に送り出すことで、半導体ストレージの可能性をより広げていきたいと考えています。 続きを読む
- Q. 質問したいこと
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A.
・3D-NAND以外にも研究開発に⼒を⼊れているものがあれば可能な範囲で教えて下さい。 ・半導体ストレージ産業の未来は明るいと思いますか？ ・若⼿のうちから研究⽅針等に関して積極的にディスカッションできる職場だと思いますか？ ・プライベートな時間を⼗分確保できていると感じますか？ ・外資系企業で良かった、悪かったと思う点をそれぞれ教えて下さい。 続きを読む
