18卒 本選考ES
技術系
18卒 | 東京都市大学大学院 | 男性
- Q. 研究内容
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A.
パソコンや携帯電話において重要な半導体産業は、集積回路の素子サイズを微細化することで、高性能化を成し遂げてきました。しかし近年、加工技術の限界やリーク電流の増加などの問題から、微細化による性能向上に限界が来ています。そこで新たな性能向上手法として、材料に従来のシリコンと比べて移動度つまり電流の流れる速度が速く、高速駆動が期待されているゲルマニウムを使用したデバイスや、材料の性質を変化させる「歪み」を導入したデバイスの開発が進められています。ゲルマニウムはシリコンと同族元素であるため、従来のシリコンと同じ技術を使うことができます。特に電子の移動によって電流を流すn型ゲルマニウムMOS構造を作製するには、ゲルマニウムと金属の間に障壁を作り電流が流れなくなる、フェルミレベルピニングというものが問題となっています。そこで私は電極と接するソースドレインにシリコンゲルマニウムを用いてシリコンゲルマニウムと金属の間のフェルミレベルピニングの影響について現在研究を進めています。最終的な目標はフェルミレベルピニングによる電流が流れないショットキー接触を解決し、さらにソースドレインにシリコンゲルマニウムを用いることで電流の流れるチャネル部分のゲルマニウムに歪みを加えることでさらなる移動度の向上を実現することを目標として現在ゲルマニウム上へのシリコンゲルマニウム膜の成長条件の最適化を結晶性、平坦性、歪みの評価と電流電圧特性の測定を通して研究を進めています。 続きを読む
- Q. 志望動機
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A.
メモリの開発設計に携わりたいと考えています。私は貴社の世界初を数多く出している技術力の高さに惹かれ志望しました。こういった世界初を開発できるということはその世界初を創造する独創的な考えやそれを具現化することのできる高い技術力があるからだと思います。 私も常に考えの目線を上に向け, 向上心を持って物事に取り組みたいと考えております。特に, 今回志望しております部門の内容でもありますNAND型メモリは各種メモリ, SSD, 産業機器など多くの製品に利用されておりますように, 世界基準のデバイスとなっております。私は便利な世の中を作りたいと考えており、そのためにはビックデータ化に向けたより高速化、より大容量化がIoT時代に求められてくると感じてます。その私の考えのもと、貴社には世の中のニーズに応える高度な技術力があり、私は研究活動で培ってきた半導体の知識と課題を分析する力を活かし、貴社で多くのことを学び技術力を身に着けることでニーズに応え、ニーズを超える製品を生み出していくことで便利な世の中を実現していきたいと考えています。 続きを読む
