【未来を拓く半導体革命】【23卒】 ソニーセミコンダクタソリューションズ 半導体プロセス技術【R&D】コースの通過ES(エントリーシート) No.73192（非公開/男性）（2022/4/21公開）

現在の生活に欠かせない半導体産業において自分もその技術発展に携わりながら世の中をより豊かにしたいと考えています。貴社の世界一や世界初の製品を生み出す開発業務は、最先端の技術に触れられるため強い感心を持っています。研究でやってきたこととつながりが深いものに携わりたいと考え、半導体プロセス技術開発を希望します。研究では、フォトリソグラフィやCMPなど前工程に当たることもやっていたため、そこで得た知識・経験はウェーハプロセスにおいて活かせると考えます。また、これまで経験のない後工程も含めて半導体の全工程に携わることで、包括的な知識・経験を持ったエンジニアになりたいです。 続きを読む

＜テーマ：貼り合わせ法を用いたGe-on-Insulator構造の作製＞ 性能向上に不可欠な微細化・集積化が限界に近づきSiに代わる新たな材料や構造が求められるなかで、Geの持つ優れた特性に着目し「絶縁膜上にGeを形成した構造」を作製しています。この構造はGOIと呼ばれ、高性能かつ低消費電力という特徴を持ち、半導体製品の新たな基盤になることができます。 ＜研究目的＞ 絶縁体であるSi酸化膜をSiで挟んだSOI(Si-on-Insulator)構造と、Siと科学的性質が似ていて優れた特性を持つGeに着目し、これら2つの特徴を兼ね備えたGOI(Ge-on-Insulator)構造を作製することを目的としています。 ＜作製方法＞ ①Si基板上にGeを形成したGOS(Ge-on-Si)基板と、Siを熱酸化したSiO2を貼り合わせます。この時、基板構造は下からSi/SiO2/Ge/Siとなります。 ②接合後、接合強化のため熱処理を行います。 ③Ge上部のSiを研磨と薬品によるエッチングで除去することで、下からSi/SiO2/Geとなり、最終研磨をしてGOI構造が完成します。 続きを読む

Safety Cocconに関心を持ちました。車の運転中に360°すべてを見渡すことは難しく、不安を抱いている人も多いと思います。このシステムはそんな大勢の人の不安を取り除き、安心と快適をもたらすものであり、貴社の高い技術が詰まったイメージセンサだからこそ可能にできていると思います。私も貴社で便利や安心を発展させるような製品開発に携わりたいと考えます。 続きを読む

GOIと呼ばれる「絶縁膜上にGeを形成した構造」の研究に力を入れて取り組みました。この構造の作製には、別々の2枚の基板を貼り合わせる必要があるのですが、研究に着手した当初はこの貼り合わせが全く成功しませんでした。しかし、このGOI構造が同期の研究にも役立てられることに面白みを感じ、「この難題を乗り越えてやろう」と思うようになりました。まずは先輩に実験プロセスを繰り返し聞き、間違っている部分や失敗の原因を探りました。さらに、原理や他の方法を知ろうと考え、先輩に専門用語や翻訳などを質問しながら10本以上の論文を読みました。そこで、貼り合わせには「親水表面」という基板表面が結合しやすい状態にする必要があることが分かりました。調べた手法をいくつか試し処理時間や薬品濃度などを試行錯誤した結果、8~9割の成功率となる手法を確立することができ、私の下に配属された2人の後輩にも同様に引き継ぐことができています。この経験から周囲の力を借りながら自身も努力することで困難も乗り越えられることがわかりました。目的達成のために周囲を巻き込み、その知識・経験を吸収しながら成長していきたいです。 続きを読む