
23卒 本選考ES
カスタムLSI開発
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Q.
研究内容
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A.
半導体の主流であるSiに代わりGeを使い、絶縁膜上にGeを形成した構造を研究しています。半導体の性能向上に不可欠な微細化・集積化が限界に近づきSiに代わる新たな材料や構造が求められおり、私はGeに着目し絶縁膜上にGeを形成した構造を研究しています。この構造はGOIと呼ばれ、半導体製品の新たな基盤となりさらにその性能を高められるものになります。当初は全く成功しなかったのですが、先輩や論文からの情報収集と試行錯誤により手法を確立でき、チップサイズからウェハーサイズへの大面積化を目指しています。 続きを読む
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Q.
志望動機
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A.
現在の生活に欠かせない半導体産業において自分もその技術発展に携わりながら世の中をより豊かにしたいと考えているからです。貴社の「品質を第一に」という企業目的のもと、ただ高品質なだけでなくお客様に寄り添った製品づくりをされている点に大きな魅力を感じています。顧客や社会のニーズに応えながら世界シェアを広げ続ける貴社でなら、豊かな社会づくりへの貢献ができ且つ、大学院での研究を活かして活躍できると考えます。 続きを読む
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Q.
職種志望理由
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A.
相手に喜んでもらいたいという気持ちが根底にあり、 自分が開発に携わった商品が国内外で誰かの役に立つことにやりがいや満足感を感じられるからです。そのために、顧客のニーズに応えながら品質の高い商品を提供してきた貴社の高い技術力に触れ、私自身もそれを身に着けたいです。大学院で半導体を研究して得た知識や、周りの人や論文から情報を収集し壁を乗り越えた経験を活かし活躍できる人材になります。 続きを読む