【21卒】ＥＮＥＯＳの技術系製造プラント管理の1次面接詳細 体験記No.8821（東京工業大学大学院/男性）（2020/7/13公開）

研究内容についての質問に答えることが出来た。また、新エネルギー事業に携わりたいという動機を伝えることが出来たため、やる気がある印象を与えることが出来たと考えられる。

和やかな雰囲気でした。名目上はジョブマッチング面談のような感じで技術系の40代の方でした。逆質問にも気さくに答えて下さりました。

五年後自分はどうなっていると思うか

私のJXTGエネルギーで成し遂げたいことは新エネルギー事業を拡大し、日本、世界のエネルギーの基礎に貢献することです。今現在JXTGエネルギーは石油事業が主であり、製造プラント管理事業部ではまず製油所での勤務になると考えられます。まずは製油所にてプラントについての基本的な技術、管理について学び、私の目標である新エネルギー事業部でのプラント管理に生かせるように成長しているはずです。また、出来ればですが5年以内には新エネルギー事業部に入り、その中でJXTGエネルギーの2040年の中期目標である新エネルギーの割合の増加に向けて、新規エネルギープラントの建設や管理に関する仕事をしていたいと考えています。

あなたの研究の内容について教えてください。

「原子層堆積法を用いたイットリウムシリケート絶縁膜によるSiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスの移動度改善」というテーマで半導体パワーデバイスの低消費電力化を目指して研究しています。近年、自動車、鉄道などの業界で高電圧・大電流を取り扱うパワーデバイスの高性能化の要求が高まっており、Siに代わる半導体材料としてSiCが期待されています。更なる高性能なパワーデバイスが実現することで広い分野での低消費電力化に貢献できます。SiCにはSiに比べ、高温下での動作やパワーデバイスの小型化、省エネルギー化が可能になるなど多くの利点を持っていますが、課題点として移動度が低く素材のポテンシャルを活かしきれていということがあります。移動度とは電子の動きやすさであり、大きいほど電流は流れ易くなります。電流が流れやすくなると電力損失が減少し低消費電力化に繋がるのです。半導体デバイスに求められる移動度は100cm2/Vs程度ですが現状の報告の多くは40-50cm2/Vs程度にとどまってます。半導体デバイスとして一般的なトランジスタでは絶縁膜の特性が移動度と関係しており、我々の研究室では、移動度向上のために絶縁膜に着目しています。絶縁膜には一般的にSiO2というSiC基板を酸化する事で得られる酸化膜を用います。私は高い移動度を実現する絶縁膜を形成するために酸化膜ではなく堆積膜を用いることにしました。また、絶縁膜に異原子を導入すると移動度が改善したという報告から、私はイットリウムの導入というアプローチに挑戦しています。現在はトランジスタの作製方法を学びつつ、実際にサンプルの作製を行い、その物性評価を行っています。今後の展望としてはトランジスタを作製し、実デバイスで実際に移動度測定および評価し更なる移動度の向上を目指します。