【歪み×移動度=革新の半導体】【18卒】 ソニーＬＳＩデザイン 技術系の通過ES(エントリーシート) No.12495（東京都市大学大学院/男性）（2017/9/13公開）

歪みゲルマニウムチャネルp型MOS構造の開発と評価 パソコンや携帯電話において重要な半導体産業は、集積回路の素子サイズを微細化することで、高性能化を成し遂げてきました。しかし近年、加工技術の限界やリーク電流の増加などの問題から、微細化による性能向上に限界が来ています。そこで新たな性能向上手法として、材料に従来のシリコンと比べて移動度つまり電流の流れる速度が速く、高速駆動が期待されているゲルマニウムを使用したデバイスや、材料の性質を変化させる「歪み」を導入したデバイスの開発が進められています。ゲルマニウムはシリコンと同族元素であるため、従来のシリコンと同じ技術を使うことができます。私の研究テーマである「歪みゲルマニウムチャネルp型MOS構造の開発と評価」は従来のシリコンに代わるゲルマニウムを材料に用い、さらに歪みを加えることで更なる高性能化を目指すというものです。性能の指標として、移動度の測定を行ってきました。その際に教授や班のメンバーと議論を交わし、色々な論文を読みより、高い移動度はどうしたらだせるか、歪みの大きさや、試料の作製方法などを考察し試料の構造の最適化を研究していました。 続きを読む

n+シリコンゲルマニウムソースドレイン上におけるフェルミレベルピニングに関する研究 半導体素子の新たな性能向上手法として、材料に従来のシリコンと比べて移動度つまり電流の流れる速度が速く、高速駆動が期待されているゲルマニウムを使用したデバイスや、材料の性質を変化させる「歪み」を導入したデバイスの開発が進められています。特に電子の移動によって電流を流すn型ゲルマニウムMOS構造を作製するには、ゲルマニウムと金属の間に障壁を作り電流が流れなくなる、フェルミレベルピニングというものが問題となっています。そこで私は電極と接するソースドレインにシリコンゲルマニウムを用いてシリコンゲルマニウムと金属の間のフェルミレベルピニングの影響について現在研究を進めています。最終的な目標はふぇみるレベルピニングによる電流が流れない問題を解決し、さらにソースドレインにシリコンゲルマニウムを用いることで電流の流れるチャネル部分のゲルマニウムに歪みを加えることでさらなる移動度の向上を実現することとしています。 続きを読む

私は半導体に関する「モノ作り」と「既存の技術の発展と改革」に携わる仕事がしたいと考えています。半導体を扱うメーカーは多数ありますが、御社への志望が深まった理由の1つが、世界No.１のシェアをもつソニーのイメージセンサー関連商品の開発・設計及びその応用技術を担っていることです。私はセンサー、特にイメージセンサーについて着目しています、なのでCMOSイメージセンサー設計を志望しています。今後のIoT時代においてイメージセンサーは自動車の自動運転や、セキュリティシステムの発展など様々な分野において応用されていくものだと考えています。 もう一つの理由として会社説明会に参加した際に先輩社員の方の話を聞いて、努力を認めてくれる会社風土であると聞き、その環境で働きたいと思えたことです。 私は今まで様々なことを努力することで、目標を達成してきたことが多くありました。 目標の達成のための努力として、行動を習慣化することが得意です。大学の陸上競技の大会、関東インカレを目指した際には4年連続で参加標準記録を突破して出場することを目標としました。しかし思うように記録が伸びず、伸び悩んだ時期がありました。そこで安定してよい記録を出し目標を達成するために、部活動以外の練習としてランニング、筋トレを習慣的に合計1日2時間行いました。習慣化をより強固なものにするために、優先順位・効率を考え時間の捻出を意識しました。例えば、筋トレは授業の空き時間に大学のトレーニングルームで行う、ランニングは1時間早く起床して行うなどです。その甲斐もあり4年連続で関東インカレの参加標準記録を突破し、出場することができました。これらの経験から目標を達成するためには習慣を大切にしなければならないことを学びました。 これらの経験を元に世界シェアNo1であるソニーのイメージセンサーに携わる仕事を行いより発展するための努力を惜しまず、世界に誇れる製品を作り出すとともに、私自身が自信もって自分を世界に誇れる技術者になりたいと思います。 続きを読む