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ウエスタンデジタル合同会社の本選考ES(エントリーシート)一覧(全16件)

ウエスタンデジタル合同会社の本選考における、エントリーシートで出題された設問とそれに対する先輩の実際の回答を公開しています。卒年や職種による設問の違いや傾向をつかむために、詳細ページにて全文を確認し、選考対策に役立ててください。

ウエスタンデジタル合同会社の 本選考の通過エントリーシート

16件中16件表示

23卒 本選考ES

デバイスエンジニア
男性 23卒 | 東北大学大学院 | 男性

Q.
アピールしたい研究

A.

Q.
上記以外でアピールしたい経験 (これまで発表した論文・学会発表、受賞など)

A.

Q.
学業以外の成果 (スポーツ、ボランティア等)

A.

Q.
外国語の資格、経験など

A.

Q.
志望動機

A.

Q.
質問したいこと

A.
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公開日:2022年6月28日
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22卒 本選考ES

プロセスインテグレーションエンジニア(開発)
男性 22卒 | 非公開 | 男性

Q.
志望動機

A.
貴社では、現代社会に必要不可欠なフラッシュメモリの開発・製造を通して、社会の発展に貢献することができるからです。IoTの時代と言われる現代では、社会全体で扱うデータ量は爆発的に膨らんでいます。貴社の説明会で、2030年に80ZBの容量が人類全体に必要だと聞きました。この莫大な量のデータを処理するために、NANDフラッシュメモリは需要が急増しています。貴社の最先端技術で開発・量産されるNANDフラッシュメモリの製造に私も関り、データ社会の発展に貢献したいです。 貴社の仕事の中でも、私はプロセスインテグレーションエンジニア(開発)を第一に志望しています。理由は、世の中に出回っていない開発段階製品のトラブルの原因分析を行う点に興味を持ったからです。私が大学院で研究してる実験では、何度もトラブルに遭遇し、原因分析に多くの時間と知識を費やしてきました。しかし、原因を突き止め、実験が成功した時には、大きな喜びもありました。この経験を貴社で最も発揮できる職種であり、活躍できる自信があるので、志望しています。 続きを読む

Q.
質問したい事

A.
入社後に他の職種へのジョブローテーションはあるのでしょうか? 他の職種についても実際に体験してみることで、視野が広がり、より円滑に仕事ができると思ったからです。 続きを読む
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公開日:2022年3月17日
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男性 22卒 | 豊橋技術科学大学 | 男性

Q.
志望動機

A.
専門技術や知識を身に付けることが出来、かつ領域や国籍を超えた様々な人と関わりながら仕事が出来る点に魅力を感じたからである。私は仕事をする上で、まずはある専門領域を深くかつ幅広く身に付け、それを自分の強みとして「専門家」になりたい。そしてその強みを活かして、様々なバックグラウンドを持つ「専門家」の方々と協力することで、社会に与えるインパクトの大きい事業を成し遂げたいと考えている。このように考えた経緯はスポーツの経験からである。各々が技術を磨き、そしてお互いの強みを相乗し、または弱みを補完することで、一人では到底成し得ない大きな目標をチームとして目指すことが出来た経験から、このように考える。以上を踏まえたときに、高い技術力を活かし、グローバルに製品を供給している貴社であれば、メモリーデバイスの最先端の技術に常に触れながら、知見を身に付けることが出来る上、部門や年齢、国籍などに関係なく、自由闊達にコミュニケーションを取りながら仕事を行うことで、世の中に良い製品を生み出すことの出来ると考えた。自身の理想とするキャリア像の実現を目指せると感じたので、志望する。 続きを読む

Q.
研究テーマとその概要

A.
現在、再生可能エネルギーや電気自動車の普及に伴い、大型の二次電池の需要が増加している。一方で、リチウム二次電池の大型化には、電解質として用いられている有機溶媒の安全性と、リチウムの希少性・地域偏在性という2つの問題点がある。そこで、電解質を有機溶媒から難燃性・難揮発性をもつ◯◯に、電荷担体をリチウムから広範に存在するナトリウムに転換した、より安全かつ安定供給可能な二次電池が期待されている。先行研究では、◯◯を用いたフルセルの動作が確認されている。更なる性能向上の余地として、電解質の高濃度化が挙げられる。過去の報告によると、電解質中のナトリウムイオン濃度を増加させると、ナトリウムイオン伝導率が低下するにもかかわらず、レート特性が向上するという特異的な現象が報告されている。そこで本研究では、このような一見矛盾した現象を解明することを目的としている。実際に、フルセルの電位変化を観察したところ、低濃度系と高濃度系に違いが見出された。高いレートでの◯◯の◯◯はNaイオンの◯◯反応であることが示唆されたのだが、◯◯に比べて◯◯においては、この◯◯挙動が大きく変化しており、このことがレート特性の向上に関与している可能性が示唆された。この理由を、◯◯から考察を試みた。この◯◯では、Naイオンに◯◯が配位して錯体を形成していると考えられている。もし仮に◯◯よりも◯◯において◯◯に配位している◯◯の数が少なければ、◯◯が小さくなり、電極へのナトリウムイオン挿入反応が起こりやすくなる可能性がある。これを定量的に確かめるため◯◯を行った。しかしながら、◯◯は確認出来ず、得られた結果のみでは、特異的な現象を十分に説明出来なかったので、追加検証が必要であると思われた。 続きを読む
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公開日:2021年8月16日
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22卒 本選考ES

不良解析エンジニア
男性 22卒 | 東京農工大学大学院 | 女性

Q.
志望動機

A.
未来のデジタル社会を支える技術者として仕事をしたいため、貴社を志望いたします。貴社のメモリ技術の発展をもって、ビッグデータの利活用が進み、AIや医療技術、自動運転、高速データ通信などの社会変革・繁栄がある、という大きな影響力のある貴社の技術に携わり、貢献したいです。また、貴社のハイスピードな技術革新や、大量の生産を可能な環境に魅力を感じています。そのため、フェイラーアナリシスの不良の原因を特定し、大量生産につなげる仕事に魅力を感じており、研究で学んだ半導体微細加工技術や、多角的な視点のアプローチによる課題解決能力を活かして働きたいと考えています。仕事を通じ、常に最先端の技術開発・生産に携わり、未来の安心・安全・快適な社会に貢献したいです。 続きを読む

Q.
研究概要

A.
物質の○○について研究しています。生体へはたらく医薬品や化粧品には、○○機能が必要です。この2つの機能は、従来、細胞を用いた別々の実験によって評価されています。そのため、操作が煩雑であり、時間を要することが課題です。また、○○は一瞬の現象であるため、視覚的に追えず、機構が未解明です。そこで本研究では、細胞実験に代わる、○○を評価する手法の構築に取り組みました。評価には、○○を用いました。○○の作製には、フォトリソグラフィーを用います。○○を作製し、○○させ、○○を形成します。作製した○○を、○○した際の○○を検出し、○○を解析します。○○を解析することで、○○を、○○を解析することで、○○を評価しました。2つの評価は、従来の細胞実験による評価結果と相関していました。また、現在、○○の特徴から、○○を推定し、検証を行っています。本研究での、○○技術と、○○な評価手法を組み合わせた評価法は、従来の細胞を用いた評価法に代わる可能性があり、また○○評価を実現します。 続きを読む

Q.
学業以外の成果(スポーツ、ボランティア等)

A.
大学時代、○○部に所属し、市の大会で優勝しました。私は○○を務め、優勝の目標に向け、監督業務に取り組みました。チームには人数が少ない課題があり、解決に向け、チームの戦力を把握し、指導やチーム戦力を補う戦略を立て、チームを作り変えました。また、捕手のポジションから、投手を支え、試合展開を指示し、臨機応変な対応をしました。 続きを読む
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公開日:2021年3月23日
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21卒 本選考ES

デバイスエンジニア(大船)
男性 21卒 | 東京農工大学 | 男性

Q.
アピールしたい研究(テーマ・概要)

A.
テーマ: 深紫外線LEDの半導体材料として注目される「窒化アルミニウム」の高純度な単結晶の高速成長に関する技術開発 概要: 【研究背景】深紫外LEDの高効率な殺菌効果化が注目されています。そのため、深紫外線LED用途の高品質なAlN単結晶基板開発の必要が生じています。従来の昇華法や気相成長法により、AlNの結晶成長は可能ですが、作製された結晶の品質に問題があります。 【研究結果が社会にもたらすこと】従来の低圧水銀ランプは、有害な水銀を含むことに加え、寿命が短いといった欠点を有しています。つまり、高効率・長寿命な深紫外LEDが実現すれば低圧水銀ランプの代替が進む可能性があります。 【簡単な研究概要】AlN単結晶基板の気相成長法による作製と、熱力学解析による結晶成長の反応解析、成長した結晶の品質・特性評価を行っています。 【実験方法】ハイドライド気相成長法、すなわち、原料ガスを加熱した種基板上に吹き付け、基板表面での化学反応により結晶成長させる手法を用いて、AlN基板の作製を行います。 【まとめ】今後本格的に研究に励み、貴社で研究開発を行う基礎を養いたいです。 続きを読む

Q.
上記以外でアピールしたい経験(これまで発表した論文・学会発表、受賞など)

A.
卒業時に成績優秀者に贈られる賞を受賞できるように、今後の研究に励みたいと考えております。現在は、研究内容に関する論文や教科書を学ぶことで本格的な研究開始に備えています。 続きを読む

Q.
学業以外の成果(スポーツ、ボランティア等)

A.
・陸上競技部で6年間中長距離走に励みました。中学三年次に区の駅伝大会で区間賞を獲得しました。 ・塾講師のアルバイトを行いました。属人的であった授業の質を再現性のある状態に変えるように努めました。 続きを読む

Q.
健康状態、既往症

A.
問題ありません。 続きを読む

Q.
志望動機

A.
私たちの生活を支えるフラッシュメモリ製品の研究開発に魅力を感じ、大学での研究内容を活かして、次世代向けセルデバイス開発に携わりたいと考えたためです。貴社は世界で評価される高い技術力を有しており、常に新しいことに挑戦されている姿勢を魅力に感じ志望に至りました。会社説明会や職種説明会では、情報化社会の発展を支える製品作りへのこだわりを感じました。技術者として半導体の技術革新に挑戦したいと考えています。 続きを読む

Q.
質問したいこと

A.
・若手社員に期待すること ・入社後に伸びる社員の特徴 ・デバイスエンジニアとして働くことで身に付くスキル 続きを読む
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公開日:2020年6月9日
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18卒 本選考ES

エンジニア
男性 18卒 | 京都大学大学院 | 男性

Q.
アピールしたい研究 (テーマ・概要)

A.
「レアメタルフリー化合物半導体ZnSnP2を⽤いた新規太陽電池の開発」 安価で安全な元素から構成されるZnSnP2は⾼い光吸収係数を持ち、バンドギャップが1.6eVであることから太陽電池 材料として期待されていますが、これまでにデバイス応⽤が報告されていませんでした。 そこで本研究では、(1)半導体物性評価および制御技術の確⽴ (2)太陽電池デバイス化技術の確⽴ (3)薄膜作製法の開 発の3つに着⽬しました。このように基礎物性評価からデバイス応⽤に⾄るまで多⾓的にアプローチすることで⾼効率 ZnSnP2太陽電池の実現を⽬的としました。 これまで得られた結果としては、(1)ZnSnP2が太陽電池材料として優れた光学・電気的特性を持つことを確認し、 Zn,Sn原⼦の規則-不規則配置を利⽤したバンドギャップ制御⽅法を⾒出しました。(2)太陽電池セルを作製することで 世界で初めて変換効率3%を記録することができました。(3)Zn-Sn薄膜をリン蒸気と反応させることで⽐較的簡便なプ ロセスによりZnSnP2薄膜を作製する⼿法の開発にも成功しています。 続きを読む

Q.
上記以外でアピールできる これまで発表した論⽂・学会発表、受賞など

A.
・投稿論⽂:ZnSnP2の太陽電池応⽤研究に関連して、査読のある学術雑誌へ5報論⽂を発表した実績があります。 ・学会発表:国際学会の⼝頭発表4件、ポスター4件、国内学会の⼝頭発表6件、ポスター3件と発表経験は豊富です。 ・受賞:フロンティア太陽電池セミナー 優秀ポスター賞、⽇韓化合物太陽電池ワークショップ 優秀ポスター賞 ・フェローシップ:⽇本学術振興会 特別研究員DC2 (採⽤期間 2016年4⽉-2018年3⽉) ・外部資⾦:京都⼤学教育振興財団 海外発表渡航助成 200,000円 続きを読む

Q.
SanDiskを志望する理由(具体的に)

A.
私は半導体ストレージの研究開発を⾏うことで、⼈々の暮らしを電⼦デバイスの⾯から豊かにしたいと考えています。 膨⼤な情報量が⾶び交う現代では、情報処理速度に加えてストレージが担う重要性が増していることは⾃明であり、メモリの⾼集積化が求められています。2D-NANDフラッシュメモリの微細化が限界が近づく中、貴社は3D-NANDという⾰新的な技術を積極的に研究開発しており、成⻑性を感じています。上記の理由から、貴社を志望した次第です。 続きを読む

Q.
SanDiskで何をしたいか(具体的に)

A.
貴社に⼊社できた場合は、3D-NANDフラッシュメモリの更なる⾼集積化に関する開発業務に携わりたいと考えています。⼤学院で学習・経験したことを活かすことができ、かつ興味があると感じるのは、プロセスエンジニアです。特定のプロセスの研究を⾏いたい等のこだわりはありません。⾃ら研究開発を⾏った製品を世の中に送り出すことで、半導体ストレージの可能性をより広げていきたいと考えています。 続きを読む

Q.
質問したいこと

A.
・3D-NAND以外にも研究開発に⼒を⼊れているものがあれば可能な範囲で教えて下さい。 ・半導体ストレージ産業の未来は明るいと思いますか? ・若⼿のうちから研究⽅針等に関して積極的にディスカッションできる職場だと思いますか? ・プライベートな時間を⼗分確保できていると感じますか? ・外資系企業で良かった、悪かったと思う点をそれぞれ教えて下さい。 続きを読む
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公開日:2018年1月19日
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男性 18卒 | 九州大学大学院 | 男性

Q.
アピールしたい研究について

A.
【研究テーマ:新構造の磁石の創製】 社会実現に向けて、次世代メモリである磁気メモリ(MRAM)の課題「書き込み電力の低減」に取り組んでいます。MRAMは不揮発性と高速性を両立できる一方、書き込み時の電力消費が大きいことが課題です。そこで研究室では、書込み電流を使用して、電流を流すことで磁石がマイクロ波を発振する「スピントルク発振」層を記録素子部分に付加し、書き込みをエネルギーアシストしようとしています。スピントルク発振層には余計な漏えい磁場が発生しない事が求められますが、世の中に漏えい磁場なくスピントルク発振する物質は存在しないので、新しい構造の磁石を創製します。具体的には磁性積層膜に生じる特異な磁気結合を利用して作成します。 続きを読む

Q.
SanDiskを志望する理由(具体的に)

A.
テクノロジーでストレージの可能性を拡大するサンディスクで、今までにない新しい技術・アイディアをチームワークで生み出す挑戦がしたいと思い志望しました。ストレージは需要が高く、変化のはやいテクノロジーであると思います。その変化点には必ず新しい技術・アイディアがあると考え、その中で私は、この変化点をつくる新しい技術・アイディアを生み出したいと思います。 続きを読む

Q.
SanDiskで何をしたいか(具体的に)

A.
デザインエンジニアを希望します。回路設計に興味があることに加えて、今ある製品・技術の質を向上させるといった業務だけでなく、新しい技術(3D構造など)の課題に直接的に取り組めると考えて希望しています。 続きを読む

Q.
質問したいこと

A.
SSDに取って代わる次世代メモリ実用化の波が来た場合、経営戦略として、どのように会社を継続させようと考えているのか質問したいです。 続きを読む
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公開日:2017年10月13日
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男性 18卒 | 東北大学大学院 | 男性

Q.
アピールしたい研究

A.
テーマ: 非化学量論組成ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の作製および評価 概要: 強磁性トンネル接合(MTJ)は2つの強磁性体で絶縁体をサンドイッチした構造となっており、そこに電流を流すと2つの強磁性体の磁化の向きにより抵抗が変わるトンネル磁気抵抗効果(TMR)が発現します。MTJの応用にはより高いTMR比が求められ、強磁性体のフェルミ準位においての電子のスピン分極率に依存します。これは電子が絶縁体をトンネルする際に移動先においてのスピン状態の一致が必要であり、よりスピン分極した材料の方がスピン状態が平行・反平行での差がTMR比として出やすくなります。よってフェルミ準位において完全スピン分極したハーフメタル性を有するホイスラー合金のMTJへの応用が期待されています。しかし、薄膜で作製されたホイスラー合金は欠陥により期待された効果を実現できていません。その欠陥を解消するために、成膜時に非化学量論組成のホイスラー合金を用いることでハーフメタル性を保つ試みを行いました。組成を変えて実験を行ったところ、定量的にTMRの改善は確認できましたが、実用にはまだ至らず、更なる欠陥の解消が求められます。 続きを読む

Q.
上記以外でアピールできるこれまで発表した論文・学会発表、受賞など

A.
学部1年生ではJAXA主催の学生無重力実験コンテストに参加し、また2年生では「低ガス流量下でのMPD推進機の性能評価」、3年生では「プラズマ直接照射による標的細胞内への高分子導入」の研究をそれぞれ行いどちらも文部科学省主催のサイエンス・インカレにおいて発表しました。また、3年生の研究成果は教授により査読付き論文にまとめられました(Improvement of cell membrane permeability using a cell-solution electrode for generating atmospheric-pressure plasma)。現在の所属研究室においての研究は応用物理学会にてポスター・口頭にて発表しています。 続きを読む

Q.
学業以外の成果(スポーツ、ボランティア等)

A.
山梨県中学校総合体育大会硬式テニスダブルス1位、中高生学習支援ボランティア活動に対した仙台市教育委員会よりの感謝状、メンタリングした高校生の研究が国際大会「Global Link」にて日本勢初の1位、自主制作映画部の部長としてケーブルテレビJ:COMとの3か月の放送契約の締結 続きを読む

Q.
外国語の資格、経験など

A.
中国官話・上海語ネイティブ、TOEIC:845 続きを読む

Q.
健康状態、既往症

A.
健康です。 続きを読む

Q.
SanDiskを志望する理由(具体的に)

A.
世界トップ技術の貴社の研究開発に携わりたいからです。貴社の高品質な製品にはいつも驚いていました。就職活動の折に開発製造拠点が日本だと知り、貴社への興味が俄然強まりました。私は大学1年次から興味のある分野の研究室で研究を行っており、研究、未知の探求こそ天職と考えています。貴社の一員になり、自身が生み出した新しい技術を世界に発信したいです。自身の探求欲求によって、自身が成長し良い製品を生み、世の中に貢献できると考えています。 続きを読む

Q.
SanDiskで何をしたいか(具体的に)

A.
貴社で新しい製品を開発したいです。特に、Post NAND型フラッシュメモリの開発をしたいと考えています。現状の製品の明らかになっていない改善点を見つけ、改善した画期的な製品を世に送り出すのが理想です。優秀な研究員の皆さんが積み上げてきた結果である製品を、新しい角度から分析し、今以上に世に認められるものとしたいと考えています。製造プロセスの改善などの業務も大変重要だと思いますが、私自身の嗜好は、新製品の開発にあると存じます。 続きを読む

Q.
質問したいこと

A.
貴社は内定者に入社までに、残りの学生生活でやって欲しいようなことはありますか。 続きを読む
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公開日:2017年9月15日
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男性 18卒 | 東京工業大学大学院 | 女性

Q.
サンディスクを志望する理由 具体的に

A.
貴社はNAND型メモリのシェアが17%であり、提携している東芝メモリと合わせると40%の世界シェアを有しています。貴社の製品はIoTが加速する社会において、より重要な役割を果たしていくと考えています。私は自分の働きを通して社会にインパクトのある仕事をしたいと考えており、貴社の製品に携わることは世界的に大きなインパクトを与えられると感じています。また、説明会にて伺った合理性を重視する無駄のない考え方にも魅力を感じています。 続きを読む

Q.
サンディスクで何がしたいか 具体的に

A.
デバイスエンジニアとして製品の評価を行いたいと考えています。製品にどんな特性があるのか様々な観点から評価などを行い、開発品の性能や信頼性の向上に携わりたいです。半導体の知識は現在身につけていませんが、研究室で培った電気化学の知識を活かせると感じています。様々な部門と関わる部署だからこそわかりやすく伝えあう能力を活かし連携を図りたいです。また、積極的に海外と関わっていきたいです。グローバルな考えを身につけた価値のある人間になりたいと考えています。 続きを読む

Q.
質問したいこと

A.
競争が激化する半導体業界の中でエンジニアに最も求められる能力。 即戦力である人材を集める中途採用だけではなく新卒採用も行う理由。 Western Digitalとどのような関わり方をしているのか。 今後の東芝との関係性。 続きを読む
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公開日:2017年9月14日
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ウエスタンデジタル合同会社の 会社情報

基本データ
会社名 ウエスタンデジタル合同会社
フリガナ ウエスタンデジタル
設立日 1992年8月
資本金 1億円
従業員数 813人
売上高 26億8100万円
決算月 6月
代表者 小池淳義
本社所在地 〒108-0075 東京都港区港南1丁目6番31号品川東急ビル3階
電話番号 03-4334-7100
URL https://shop.sandisk.com/ja-jp/
NOKIZAL ID: 1574458

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