24卒 インターンES
研究職
24卒 | 非公開 | 非公開
-
Q.
研究(ゼミ)内 容
-
A.
現在、パワーデバイスとしてGaNが注目されており、特にGaN系MOSデバイスへの期待が高まっている。しかし、絶縁膜中や絶縁膜/半導体界面の欠陥低減の課題があり、絶縁膜/GaN界面の詳細な構造と電気特性の関係解明が重要であると考える。中でも、GaN表面に形成されるGaOxは、重要な特性が依存するが、詳細な構造は明確に解明されていない。そこで私は、GaOxの詳細な原子構造と電気特性の関係解明を目指す。 続きを読む
-
Q.
志望動機
-
A.
私は、半導体の開発を通して人々の生活をより豊かにしながら環境問題の解決を実現できると考えています。貴社は、Sicパワーデバイスのインバータへ応用することによって、電力消費の低減化を実現しています。そのような環境問題の解決に積極的に取り組みながら、幅広い半導体業界を支える貴社に感銘を受けました。貴社にて品質の高い半導体の開発に携わり、より豊かな社会実現に貢献したいと考え志望いたしました。 続きを読む
0
0
