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ルネサスエレクトロニクス株式会社

【光技術の革新を担う】【23卒】 ルネサスエレクトロニクス 開発職の通過ES(エントリーシート) No.95382(非公開/非公開)(2022/6/29公開)

ルネサスエレクトロニクス株式会社の本選考における、エントリーシートで出題された設問とそれに対する先輩の実際の回答を公開しています。自己PRや志望動機のほか、企業独自の設問と回答を参考に、卒年や職種による設問の違いや傾向を確認し、先輩の回答を選考対策に役立ててください。

※ 本ページに表示されるタイトルおよびHTML上のメタ情報には、生成AIが作成した文章が含まれます。

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公開日:2022年6月29日

23卒 本選考ES

開発職
23卒 | 非公開 | 非公開

Q.
第一希望の職種(ウェハプロセス技術エンジニア)を選んだ理由。

A.
大学院の研究において、私は主にリソグラフィやエッチング技術を用いたデバイス作製を行った経験があり、既に要素プロセスに関する技術的な理解や最適なプロセス条件の探索方法にある程度精通しているため、それらの知識を活用できる職種であると考えている。デバイス開発においても、デバイス設計技術やデータ解析の面において自分のスキルを有効利用できると期待している。 続きを読む

Q.
第二希望の職種(実装技術エンジニア)を選んだ理由。

A.
本職種は数値計算ツールあるいはデバイス設計手法に関する知識やノウハウ、一連の半導体プロセスやデバイスの評価に関する技術など、大学院における研究活動において私が培ってきた技術をそのまま活かせる部分が多々あると考えている。特に光集積回路の実用化を念頭に置いた基礎研究を推進してきたこともあり、親和性の高い業務であると感じている。 続きを読む

Q.
自らの研究内容について。

A.
情報通信技術の発達に伴い、消費電力量を抑えられる光配線技術の実用化が近年課題となっている。その中で、導波路中に構造欠陥や作製揺らぎが存在しても、光を高効率に伝搬可能とするトポロジカルフォトニクスの研究が近年盛んに行われている。私は急峻な曲げ構造を経由しても光が高効率に伝搬可能なバレーフォトニック結晶導波路に着目し、半導体スラブ上におけるデバイスの設計および作製、光学評価に取り組んだほか、本フォトニック結晶プラットフォームを用いた導波素子の高機能化についても検討を行っている。 続きを読む

Q.
自らのこれまでの研究のアピールポイントについて。

A.
私が研究に着手する前、トポロジカルフォトニクスの分野では磁気光学効果やメタマテリアルを用いた系など、実用に不向きな理論提案や実証例に限られていた。そのため、私は従来の半導体プロセスによって容易に加工可能な半導体スラブ構造に着目し、量子ドットを内包した化合物半導体やCMOS互換プロセスを用いて加工したSOI基板上において世界で初めてバレーフォトニック結晶導波路の動作実証を行った。本研究は、従来よりも微小な面積でも安定して動作するような光集積回路の実現を目指す上で大きな一歩と考えている。 続きを読む

Q.
自身のスキル・能力について。

A.
デバイス設計の段階では、Pythonを使った効率的なCAD設計手法に加え、平面波展開法やFDTD法などといった電磁界計算に関するノウハウを学習することが出来た。また、デバイス作製を経験することで半導体プロセスに関する知識やその技術について学び、様々な薬品や加工装置の扱いについても習熟している。さらに、光学評価を実施するための光学系に対しても理解を深めたほか、LabVIEWを用いた自動機器制御、主にMATLABやPythonなどを用いた実験データの解析手法や画像処理技術なども会得している。 続きを読む

Q.
自身の今までの成果について。

A.
学部時代には光ファイバー中の高次縮退モードに関する研究を行い、国内学会に2度参加したほか国際会議における口頭発表においてStudent Awardを受賞、同研究内容で学術誌IEICE Electronics Expressに投稿した論文はBest Paperに選出された。大学院の研究でも複数回国内・国際学会に参加し、ある国際会議ではBest Paper Awardを受賞している。 続きを読む

Q.
会社内での今後のキャリアについて。

A.
大学で研究を進める中で、半導体デバイスや半導体プロセス全般について強い関心を持つようになり、自らの手で設計したデバイスを実際に作製し動かすまでの一連のフローに達成感を覚え、関連するような業種に就くことが出来たらと考えている。また、知識面に限らず技術面においても私が大学で学び得たことの多くをシームレスに活かせる可能性が高い職場であることも大きな魅力として感じている。特に御社は光素子に限らず幅広い半導体製品を取り扱っており、自らの視野を広げるスキルアップのためにも私は日本の半導体業界を牽引する御社の研究開発職の一員として携わりたいと思っている。 続きを読む

Q.
「Renesas Culture」に照らし合わせて、どのような人材を目指すか。

A.
私は自らがInnovativeな強みを持っていると考えている。所属している研究室においては、新たにシリコンのドライエッチング技術を開拓することに成功し、その際に導き出したプロセス条件は様々な学生・研究員のデバイス作製において有益な情報となった。そのほか、複雑かつ大容量なフォトニック結晶のCADの設計が求められた際、従来とは異なる手法を導入することによって作業の大幅な能率化やを達成してきた。このように新しい技術革新をもたらし、研究活動の向上に貢献した経験は今後の仕事においても必ず活かせるものと私は信じている。 続きを読む

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【技術コース対象】Stage制ワークショップ / 技術コース
通過

Q.
下記 1〜3 のうち、いずれかが伝わるエピソードに沿って、自由に自己 PR してください。 夢に向かって果敢にチャレンジし続けられる 素直な心、ひたむきさを持っている グローバルな視点を持っている ※1 理系の方は、研究以外で記入してください。 ※2 過去のイベントにご応募いただいた方は、応募時の記入内容を表示しております。 内容を修正いただいても構いません。空白の方は新たにご記入をお願いいたします。(以下同) 400文字以下

A.
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公開日:2025年12月23日

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ルネサスエレクトロニクスの 会社情報

基本データ
会社名 ルネサスエレクトロニクス株式会社
フリガナ ルネサスエレクトロニクス
設立日 2002年11月
資本金 1532億900万円
従業員数 21,907人
売上高 1兆3484億7900万円
決算月 12月
代表者 柴田 英利
本社所在地 〒135-0061 東京都江東区豊洲3丁目2番24号
平均年齢 48.5歳
平均給与 809万円
電話番号 03-6773-3000
URL https://www.renesas.com/ja
NOKIZAL ID: 1130335

ルネサスエレクトロニクスの 選考対策

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