
23卒 本選考ES
エリア一般職
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Q.
研究内容 (200)
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A.
私はレアアースXXのもつ電子状態の温度変化を、XXX法により解明する研究を行っています。現在はXXXX施設XXXXXにて、試料にXXを照射し、XXの電子数やその温度依存性、また理論計算から算出される電子状態との差異を議論しています。同時に、XXXXXの研究生として、実験設備の光学的調整作業に携わり、放射光の出力向上や測定時間の短縮化を行っています。 続きを読む
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Q.
志望動機 (200)
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A.
私は技術者として多くの人々の生活と社会をより豊かにしたいと考え、現代社会の多様な場面で活躍する半導体業界を志望します。同時に、半導体製造は環境破壊と隣り合わせですが、貴社はSiCパワーデバイスの開発や製造時のCO2、VOC削減等により環境負荷低減と人々の豊かな暮らしを両立しています。そのような社会課題と環境問題の解決に積極的に取り組む姿勢に感銘を受け、貴社の活動に貢献したいと考え志望致しました。 続きを読む
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Q.
職種志望理由 (200)
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A.
個別半導体の開発や製造に携わり、社会と環境の両面に貢献したいためです。開発を通して製品のさらなる耐圧・耐熱性の獲得など、信頼性と利便性の向上につなげると共に、小型化による省資源化から環境マネジメント活動にもアプローチしたいと考えます。また貴社のSiCダイオードはX線などの高電圧電源に使用されていることから、私が研究活動で培った光学的知見を活かせると考え志望致しました。 続きを読む