23卒 本選考ES
技術
23卒 | 非公開 | 男性
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Q.
大学・大学院・高専における研究内容(研究が始まっていない方は積極的に取り組んだ授業の内容）を入力して下さい。
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A.
ダイヤモンドは優れた物性値を有する為、次世代半導体材料として期待される。しかし、ダイヤ結晶を合成した際に発生する結晶欠陥起因の表面形状の悪化がデバイスの特性に影響を及ぼすことが分かっている。私はX線で観測した欠陥ごとに、デバイスを作製・電気特性評価を行った。結果として欠陥の種類ごとに表面形状が異なり、特性の差が生じることが判明した。今後は結晶欠陥だけでなく、表面形状に注目して研究を行っていく。 続きを読む
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Q.
当社への志望動機を入力してください。 ※改行禁止200文字以下
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A.
高品質な製品を生み出す貴社の高い技術力に魅力を感じました。私は省エネルギー化を目的とした次世代半導体の研究をしており、半導体を用いて未来の暮らしを支えることを目標にしています。今後、半導体は生活の大部分を担い、ますます高性能化が要求されます。その中でも貴社は品質第一を前提にSiCやGaNなど様々な課題に挑戦されています。そのような貴社独特の開発で幅広い業務に携わり、社会の発展に貢献したいです。 続きを読む
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Q.
職種志望理由を入力して下さい。 ※改行禁止200文字以下
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A.
私は製造技術開発部門において大学で学んだ知識を生かして新しいプロセスを考案し、不良品数の低減を目指したいと思います。私は大学の研究で実際に半導体デバイスの作製を行っております。自らの手でデバイスを一から作製することで特性を製品化レベルにする難しさ、歩留まりを向上させる難しさを実感しました。貴社のプロセスに携わり、より良い半導体を効率的に生み出すことを目標に取り組みます。 続きを読む
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