24卒 本選考ES
技術
24卒 | 非公開 | 男性
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Q.
大学・大学院・高専における研究内容(研究が始まっていない方は積極的に取り組んだ授業の内容）を入力して下さい。200文字以下
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A.
〇〇はSiに代わる次世代半導体材料として注目されており、その優れた物性値から高効率なパワーデバイスとして期待されている。しかし、デバイス作製時に導入される〇〇がデバイス性能に悪影響を与えるため、未だ実用化に至っていない。実用化には〇〇が必要であるが、その特性について解明が進んでおらず〇〇は難しい。そこで、私は〇〇を目指し研究している。 続きを読む
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Q.
当社への志望動機を入力してください。200文字以下
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A.
将来私は、学んできた知識を活かした技術開発により社会に大きな影響を与えたい。中でも、半導体の技術革新に貢献することで社会に大きな影響を与えられると考えた。半導体は人々の生活には不可欠であり、今後のEVといった新たな技術にはさらなる技術革新が必要である。そこで、私が研究で培ってきた「半導体の知識」を貴社の化合物半導体といった技術開発に活かすことで技術革新に貢献できると感じたため志望する。 続きを読む
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Q.
職種志望理由を入力して下さい。200文字以下
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A.
パワーデバイスの技術開発を行い、実際の製品開発に携わりたいためだ。省エネルギー化には電力変換の中核を担うパワーデバイスの性能向上が重要である。私はパワーデバイスの研究を行っており、研究で培った「知識」や「デバイス作製の経験」を技術開発に活かすことができる。加えて、私が開発した技術が製品に用いられることで、環境の面でも社会貢献ができると感じたため、パワーデバイスを扱う個別半導体技術開発を志望する。 続きを読む
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