18卒 本選考ES
技術系
18卒 | 東京都市大学大学院 | 男性
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Q.
研究内容
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A.
高移動度材料として期待されているGeを用いた半導体素子の作製、またGeにn+SiGeを用いて歪みを加えることでさらなる性能向上を目指しています。n型Geと金属の間にはフェルミレベルピニングによって問題があるため私は現在n+SiGeと金属界面でのフェルミレベルピニングの影響について研究を進めています 続きを読む
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Q.
志望動機
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A.
私は御社の売り上げ約10パーセントを投資する高い研究開発力、世界シェアNo1製品を生み出している技術力の高さに惹かれ志望しました。説明会でのお話を聞く中で「つねに品質を第一とする」「その道の第一人者を目指せ」という言葉を聞き仕事に対する情熱を感じました。私も御社で技術を磨き成長し情熱を持った技術者となりたいと考えています。 続きを読む