18卒 本選考ES
技術系総合職
18卒 | 東京都市大学大学院 | 男性
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Q.
自己PR
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A.
目標の達成のための努力として、行動を習慣化することが得意です。私は今まで様々なことを努力することで、目標を達成してきたことが多くありました。大学の陸上競技の大会、関東インカレを目指した際には4年連続で参加標準記録を突破して出場することを目標としました。しかし思うように記録が伸びず、伸び悩んだ時期がありました。そこで安定してよい記録を出し目標を達成するために、部活動以外の練習としてランニング、筋トレを習慣的に合計1日2時間行いました。習慣化をより強固なものにするために、優先順位・効率を考え時間の捻出を意識しました。例えば、筋トレは授業の空き時間に大学のトレーニングルームで行う、ランニングは1時間早く起床して行うなどです。その甲斐もあり4年連続で関東インカレの参加標準記録を突破し、出場することができました。これらの経験から目標を達成するためには習慣を大切にしなければならないことを学びました。 続きを読む
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Q.
研究概要
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A.
パソコンや携帯電話において重要な半導体産業は、集積回路の素子サイズを微細化することで、高性能化を成し遂げてきました。しかし近年、加工技術の限界やリーク電流の増加などの問題から、微細化による性能向上に限界が来ています。そこで新たな性能向上手法として、材料に従来のシリコンと比べて移動度つまり電流の流れる速度が速く、高速駆動が期待されているゲルマニウムを使用したデバイスや、材料の性質を変化させる「歪み」を導入したデバイスの開発が進められています。ゲルマニウムはシリコンと同族元素であるため、従来のシリコンと同じ技術を使うことができます。私の研究テーマである「高濃度n型ドーピングを用いたn+シリコンゲルマニウム上への低抵抗接触の作製」は従来のシリコンに代わるゲルマニウムを材料に用い、さらに歪みを加えることで更なる高性能化を目指すというものです。しかしn型ゲルマニウムには金属電極の作製に問題点があり逆方向電流が流れなくなってしまうショットキー接触になることが知られています。そこで私は現在不純物であるリンをドーピングすることによって低抵抗接触を得ることを目標に研究を進めています。 続きを読む
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Q.
携わりたい仕事、達成したい夢
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A.
センサをはじめとする半導体、電子デバイスの研究開発に携わりたいです。私は電子デバイスの開発に携わり高性能、高品質なものを生み出すことを通して世の中を便利で安全に発展させていきたいと考えています。具体的にはヒューマンマシンインターフェース技術である視認性、操作性、また音声認識の精度を向上することで簡単で分かりやすいものを実現するための電子デバイスを生み出すことで便利なものを実現していきたい。またセンサを用いた認証、セキュリティシステムを高速、高精度なものとし、安全な世の中を作りたいです。これらを実現することで最終的に貴社を世界中から感謝される、愛される会社にしたいと考えています。それには便利で安全を実現するものを地域の人々のニーズ、ターゲットに合ったとすることだと考えています。そのためには人々の話を聞くことから必要とされていることを考えること、日々目の前の事に全力で取り組み少しでも知識を吸収すること、周りの様々な人々とコミュニケーションを行い、客観的な広い視野を身に着けることだと思っています。まず私が感謝される人間になり世界中に感謝される会社にするために貢献したいと思っています。 続きを読む