【未来を拓く半導体革命】【22卒】 ソニーグループ 半導体の通過ES(エントリーシート) No.45515（大阪大学大学院/男性）（2021/5/21公開）

半導体プロセス技術開発に取り組みたいです。私は現在、半導体結晶成長の研究を行っています。デバイス製品を川下に例えるなら、材料やプロセス技術は川上に当たります。私は半導体の全工程に幅広く携わりたいという思いから、今後はその次のステップとなる半導体プロセスに強い関心があります。また、私は貴社のToFイメージセンサに興味があります。”工場の自動化”をはじめとした近未来の実現に最も近い貴社の技術に感銘を受け、半導体プロセス技術の立場から横断的にこれらの製品開発に貢献したく思います。半導体の研究経験やチャレンジ精神を活かし、貴社の一員として高付加価値な製品や近未来技術の創出に挑戦したく思います。 続きを読む

私はSafety Cocoonという概念を支える車載用イメージセンサに注目しています。 私は車の運転中、周囲360度を常に視認できたらいいのにと何度も思った経験があります。 人の視覚を超える貴社の高精度なセンサなら私の願望を叶えてくれると感じました。 また、ToFセンサの応用で乗員の疲労度や挙動の観測も可能となり、貴社の技術は自動運転をはじめとした近未来化の象徴であると感動しました。 続きを読む

窒化ガリウム(GaN)半導体結晶の気相成長が私の研究内容です。 私の研究が実用化されると、今よりも格段に小型化・低消費電力・高速動作なデバイスが世間に普及し、電気自動車や通信機器の分野が進歩します。実用化に向けた課題として、現在のGaN基板は高価かつ品質が十分でないことが挙げられます。私は、社会実装に向け低コストにGaN基板を量産化するための結晶成長プロセス技術の開発に取り組んでいます。 低コストに基板を作製するには、長時間成長と高速成長の両方を可能とするGaN結晶成長技術の確立が要求されます。私が用いている研究室独自の気相成長法は、GaN生成反応式の原理から長時間成長に有利であるという大きな利点があります。一方で、高速成長条件における多結晶の生成が基板の大型化を阻害するため、結晶の大型化には低速成長を余儀なくされるという問題があります。そこで私は成長温度や新たな添加ガス種に着眼することで高速成長時の多結晶抑制に初めて成功し、従来10時間を要した結晶の大型化を4時間で実現することができました。現在はさらなる量産性向上に向け、より高速で結晶の大型化を達成することが目標です。 続きを読む

先述のように、私が用いている結晶成長法では高速成長時に発生する多結晶が長年の問題であり、その抑制に苦心してきました。私は多結晶抑制に向け、先生や先輩に日々積極的に質問を行ったり、過去の先輩の研究データをまとめ上げることで、多結晶抑制に良いパラメータ・更には悪いパラメータまで徹底的に調べました。その過程で、高温成長とH2O添加という２つのアプローチに着眼しました。これらのアプローチは多結晶発生に対してトレードオフの関係にあり、過去のデータではこれら単独のアプローチは効果的ではないとされていました。特にH2Oはできるだけ低減すべきという常識がチーム内にはありました。しかし私はあるメカニズム想定を立て、高温成長でH2Oを添加するという既存のアプローチを掛け合わせた過去にない方法を提案し、多結晶低減効果を検証しました。その結果、高速成長時の多結晶抑制に初めて成功し、トップデータとなる高い成長速度での結晶の大型化を達成しました。この成果により学会発表や論文執筆を経験しております。この経験は、やると決めたら没頭してとことんやりきる私の強みから得られたものであると考えます。 続きを読む