23卒 本選考ES
半導体プロセス開発
23卒 | 非公開 | 非公開
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Q.
選んだコースで取り組みたい内容(300字以内)
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A.
接合技術の開発に携わりたい．接合プロセスはデバイス形成において重要な役割を担っており，製品の性能を左右する大きな要素であると考えている．貴社はCMOSイメージセンサにおいて，積層型やCu-Cu接合など他社を圧倒する技術を多く持ち，業界を牽引することから，貴社であれば最先端の開発に携わり，多くのことを学ことができると考えている．また，私が現在取り組んでいる原子拡散接合法は金属薄膜を用いることでウエハの室温接合を可能にする技術であるため，研究で培ってきた知識や経験は貴社で接合に関する開発に携わる上で役立たせることができると考えている．そこで，貴社に入社し，世の中を豊かにする技術や製品を開発したい． 続きを読む
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Q.
選択した領域・カテゴリーで最近注目しているプロダクト・サービスとその理由(200字以内)
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A.
貴社が業界を牽引している積層型CMOSイメージセンサーに注目している．積層型CMOSイメージセンサーはスマートフォンや車の自動運転へと応用されるなど，現代のIoT社会において必要不可欠な製品であると認識している．また，私が研究している室温接合技術は三次元積層技術においてTSVに代わる接合法として応用が可能であるため，積層型CMOSイメージセンサーは関連性が高い分野として興味を持っている． 続きを読む
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Q.
修士論文や専攻の中で最も力を入れて取り組んでいるテーマの概要(500字以内)
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A.
銀薄膜を用いた大気中接合の接合性能に関する研究に取り組んでいる．2枚のウエハ等の表面に金属薄膜を形成し，薄膜を相互に接触させることで無加圧・無加熱でウエハを接合する技術についての研究である．無加熱での接合が可能なことから従来の接合法では実現できなかったデバイスの形成が可能である．その中でも銀は原子拡散し易く，高い接合性能が得られる．また，電気伝導性，放熱性能に優れ，比較的安価なため半導体デバイス等の量産技術としての応用が期待できる．しかし，銀薄膜は酸化や硫化により大気中で膜が汚染され，十分な接合性能を得ることが難しい．そこで成膜後から接合までの大気暴露時間に伴う接合性能の変化を評価した．その結果，暴露時間の増加に伴い汚染が進行し，接合性能が低下することが明らかになった． 続きを読む
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Q.
あなたが取り組んでいる/取り組んだことについて下記の6つのポイントを含めて記述せよ(500字以内)
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A.
大学の準硬式野球部での投手リーダーとしての活動について記述する．私の部では投手の大量失点によって試合に負けることが多く，原因は練習内容にあると考えた．部の練習のほとんどは全体で行っており，個々の課題に合わせた個人練習を行う必要があると考えた．そこで個々に必要な練習を提案するために投手リーダーに立候補し，２つのことに取り組んだ．１つ目は投球に関する知識を集め，それらが正しいかを実際に自分で検証したことである．これにより，自信を持って提案することができた．２つ目は実際に練習を提案したことである．しかし，十分に考えて提案したつもりでも納得してもらえないことがあった．そこで，提案する際に相手の意見を聞き，議論しながら練習を提案することを意識したところ，不満を持たれずに練習を改善することができた．この取り組みの結果、チームの防御率は大きく改善され，部の目標であった全国大会出場を実現した．この経験から，目標達成のために主体的に考え行動することの重要性や，他者と意見を交わすことの重要性を学んだ．今後も，常に課題解決のために主体的に考え，行動し，周囲に働きかけることで目標を達成したいと考えている． 続きを読む
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