ロームのインターンシップの面接・最終面接の質問と回答一覧(全7件)
ローム株式会社のインターン選考を通過した先輩の、各インターンでの面接の質問と回答を公開しています。ぜひ、夏インターンや冬インターンといった開催時期ごとの質問と回答を確認して、先輩の回答を選考対策に役立ててください。
ロームの インターン面接
全7件中7件表示
22卒 夏インターン 最終面接
2020年8月開催 / 20日 / 夏季インターンシップ
22卒 | 東京電機大学大学院 | 男性
- Q. 本インターンシップへの応募理由を入力して下さい
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A.
A.
目まぐるしく技術が進歩していくこの半導体、電子部品業界において私は「常に最新の技術を扱うことのできるエンジニア」として働くことを目標にしております。御社の基本方針では「世界をリードするため技術を高め発展を期する」「絶えず新しい知識を吸収する人材を育成する」とあり自身の理想と合致し感銘を受けました。世界で活躍する御社のインターンシップにて自身の目標像に近づくことができるヒントを得られると考えました。 続きを読む
- Q. 希望分野を志望する理由
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A.
A.
私は電子工作を趣味としてたしなんでおり、今までに様々な回路の作成を行ってきました。作っていきなり所望する動作をすることの方がまれであり、理想とする結果を得るために試行錯誤することを大変ながらとても面白いと感じております。LSI商品開発ではニーズをもとに試行錯誤して商品・技術を作り上げるというところに共通点を感じ、とても魅力的に思えました。 続きを読む
18卒 夏インターン 最終面接
2016年8月開催 / 14日 / 総合職コース
18卒 | 関西学院大学 | 男性
- Q. 弊社のインターンシップに参加して何を得たいですか
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A.
A.
私たち文系は理系の方々と違い、専門的な知識を学ぶことはできない。そのため「半導体」についての知識もあまり持ち合わせてはいない。ですので御社のインターンシップでは半導体に関する専門的知識を完全に理解し、電子部品業界を志望する理由をもっとしっかりと確立させたいです。また、同じ文系の仲間が集まるこの場だからこそ、お互いを刺激し合い、切磋琢磨することができると考えています。 続きを読む
- Q. なぜパワー半導体に興味を持ったのか
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A.
A.
環境問題に対して半年間マレーシアの現地で勉強してきたため、私は将来なにかしら環境にアプローチできる仕事をできればと考えていました。そこで見つけたのがパワー半導体という夢の装置でした。炭化ケイ素に物質を変換させるだけで電力ロスがとても減る。そんな装置が世界中に普及すれば確実に世の中は環境保護型社会に変わると思い、興味を持ち始めました。 続きを読む
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ロームの 会社情報
会社名 | ローム株式会社 |
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フリガナ | ローム |
設立日 | 1958年9月 |
資本金 | 869億6900万円 |
従業員数 | 23,390人 |
売上高 | 4677億8000万円 |
決算月 | 3月 |
代表者 | 松本功 |
本社所在地 | 〒615-0045 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 |
平均年齢 | 41.0歳 |
平均給与 | 879万円 |
電話番号 | 075-311-2121 |
URL | https://www.rohm.co.jp/ |
採用URL | https://micro.rohm.com/jp/employment/ |
NOKIZAL ID: 1130305
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25卒 最終面接
営業・管理
25卒 | 非公開 | 非公開
- Q. 研究内容を入力してください
- A. 筋トレしている人は一般的に血管が硬くなることが多いが、長年筋トレをしている人は筋トレ後に血管の収縮は緩やかであり、これは血管の病気である、動脈硬化に効果があるのではないかと考え、行っている。また、実験内容は筋トレしている人としていない人の心臓、血管の動向、血圧など...続きを読む(全204文字)
25卒 1次面接
営業・管理
25卒 | 非公開 | 非公開
- Q. 勤務地について縛りはありますか。
- A. 特に勤務地には縛りはございません。自身の成長とキャリアアップのため、どの地域であっても前向きに取り組む覚悟があります。新しい環境に適応する柔軟性を持ち、そこで得られる経験や知識を大切にしたいと考えています。また、さまざまな地域での勤務を通じて、多様な視点や考え方を...続きを読む(全222文字)
25卒 最終面接
技術
25卒 | 非公開 | 非公開
- Q. なぜ現在の研究を志望したのですか
- A. 大学の経験を経て、太陽電池をはじめとしてた半導体に興味を持ったからです。大学に入学後、太陽電池を扱う部活動に入部しました。そこで電装班として、その中で太陽電池の仕組みと取り扱いをするうちに興味を持ちました。その後、大学の授業では半導体工学を中心とした授業に取り組み...続きを読む(全213文字)
25卒 2次面接
技術
25卒 | 非公開 | 非公開
- Q. 研究について、現在の課題と今後の研究方針について教えてください
- A. 現在の課題としまして、抵抗値が高く電流特性が劣悪であることと耐圧性能が低いことが挙げられます。前者は電極とサンプルの間の接触抵抗が高くなっている点、後者はデバイスの形が角型電極を用いているためによるものと考えています。今後の実験としまして、前者に関しましては電極部...続きを読む(全214文字)
25卒 1次面接
技術
25卒 | 非公開 | 非公開
- Q. あなたの研究について、簡潔に説明をお願いいたします。
- A. AlGaNチャネルHFETに関する研究を行っています。HFETとは異なるバンドギャップを持つ半導体材料をヘテロ接合させることによって生成される二次元電子ガスを利用したトランジスタのことです。AlGaNはGaNを超える耐圧性能を有することから次世代のパワーデバイスと...続きを読む(全226文字)